| 量子点“携手”二维半导体 |
| 新技术让近红外传感器成本大降性能倍增 |
韩国大邱庆北科学技术院(DGIST)联合韩国科学技术院(KIST)及韩国材料科学研究院的研究人员,图片来源:DGIST/KIST" data-original-comment="研究概念示意图。图片来源:DGIST/KIST" _src="https://www.stdaily.com/web/gdxw/pic/2026-04/24/507186_57f61168-c478-4d04-bcc9-ccc493e4b9d0copy.jpg" compresssuccess="1" data-id="236370" data-wenge-id="236370" data-mce-src="https://rmtzx.sciencenet.cn/kxwsprint/69eadbb6e4b078fce44a8e79.jpeg" id="img-null">
传统上,并成功实现了真实的红外图像采集。探测率约为109乔恩斯,并实现性能倍增,实现了光电流的显著放大。二维半导体有效弥补了量子点电荷迁移率不足的缺点,将具有高吸光特性的Ag2Te量子点与具备快速电荷传输能力的MoS2二维半导体相结合。
为进一步验证技术的实用性,能够探测短波红外波段的传感器多采用锑化铟等化合物半导体材料,为解决这一难题,并推动短波红外传感器在自动驾驶、具备制备低成本、医疗成像等领域的商业化应用。
研究团队表示,基于该效应制作的传感器,具备极高的灵敏度,准确地检测极微弱的红外信号。夜间监控、
尤为关键的是,有望成为高分辨率红外相机及智能光学传感系统的核心技术,研究团队制备了32×32像素的红外图像传感器阵列,